半导体存储装置

摘要

一种半导体存储装置，包括放大互补位线对的电压差的读出放大电路；构成上述读出放大电路的P沟道型或者N沟道型的配对晶体管的两个栅电极在同一活性区域中相互平行形成；上述两个栅电极的栅长被设定为上述活性区域的两端部分比部分长。

主权项

1、一种半导体存储装置，包括用于放大该半导体存储装置中的互补位线对之间的电压差的读出放大电路，该读出放大电路包括：第1晶体管，其形成于活性区域中，具有：沿位线方向配置的第1栅电极、与第1位线连接的第1漏电极、以及公共源电极；和第2晶体管，其形成于上述活性区域中，具有：与上述第1栅电极平行配置的第2栅电极、与第2位线连接的第2漏电极、以及与上述第1晶体管共有的上述公共源电极，上述第1栅电极与上述第2漏电极连接，上述第2栅电极与上述第1漏电极连接，从而形成门闩电路，上述第1栅电极和上述第2栅电极中的每一个都具有：第1部分，其处于上述活性区域的第1端部，沿与上述位线方向相垂直的垂直方向具有第1栅长(L2)；第2部分，其处于与上述第1端部相对的第2端部，沿上述垂直方向具有上述第1栅长；以及第3部分，其处于第1部分和第2部分之间，沿上述垂直方向具有第2栅长(L1)，上述第1栅长比上述第2栅长长。