修正基片晶面偏差的加工方法及夹具装置

摘要

本发明修正基片晶面偏差的加工方法及夹具装置属于半导体加工领域，特别涉及修正基片晶面偏差的加工方法及夹具装置。首先通过基片的中心建立一个三维正交坐标系，X轴和Y轴分别垂直于基片的两个边，利用单晶定向仪确定基片在XOZ面偏离X轴角度和YOZ面上偏离Y轴角度，把基片放在塑料薄片方孔内，使基片要矫正的表面朝外，插好塑料管后，开启真空泵；夹具基体形状为T形结构，孔A、B和C的中心连线构成等腰直角三角形。本发明修正基片晶面偏差的加工方法及夹具装置保证基片在加工的过程中发生晶面偏差时能够同时在两个方向上进行修正，夹具结构简单，安装方便。

主权项

1.一种修正基片晶面偏差的加工方法，其特征是，首先通过基片(9)晶面中心建立一个三维正交坐标系，原点为O，X轴和Y轴垂直于基片的两个边，利用单晶定向仪确定基片(9)晶面在XOZ面偏离X轴角度α和YOZ面上偏离Y轴角度β，然后，采用如下步骤：1)把基片(9)放在塑料薄片(7)方孔内，使基片(9)要修正的晶面朝外，插好塑料管(10)后，开启真空泵(11)；2)测量基片(9)晶面中心O到夹具基体顶面的距离L，调整夹具基体(1)上的调整测微头(2)和(4)的长度L1和L2，使L1＝L2＝L，这时，基片(9)晶面3)-中心和两个测微头(2)和(4)的顶端中心在同一水平面上；4)调整夹具基体(1)上的两个测微头(2)和(4)的长度，使要调整的长度ΔL1＝M×tan和ΔL2＝M×tanβ，其中：ΔL1-测微头(2)修正长度，ΔL2-测微头(4)修正长度，M-测微头(2)和(4)的顶端中心到基片(9)晶面中心的距离；并使调整测微头(2)的伸缩方向与基片晶面在XOZ面偏离X轴方向相反，调整测微头(4)的伸缩方向与基片晶面在YOZ面偏离Y轴方向相反；5)把夹具放在研磨机上，用手把持夹具不动，使用研磨液对基片进行研磨；6)取下基片(9)，用单晶定向仪对修正后的基片进行测量，如果晶面偏差在使用允许范围内则修正完毕，如果晶面偏差不在使用允许范围内，则继续按以上步骤修正。