| 发明名称 | 具有杂质捕集区域的硅晶圆及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种具有杂质捕集区域的硅晶圆及其制造方法。根据本发明的硅晶圆包含一硅切片及一第一杂质捕集区域。该硅切片具有一第一表面。该第一杂质捕集区域形成于该硅切片的该第一表面上，并且通过在该硅切片的该第一表面之上的一处理形成。 | ||
| 申请公布号 | CN101649492A | 申请公布日期 | 2010.02.17 |
| 申请号 | CN200810147017.4 | 申请日期 | 2008.08.12 |
| 申请人 | 昆山中辰硅晶有限公司 | 发明人 | 徐文庆;何思桦;王荣宗;许松林;郭华皓 |
| 分类号 | C30B33/00(2006.01)I;C30B33/02(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | C30B33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天平专利商标代理有限公司 | 代理人 | 孙 刚 |
| 主权项 | 1.一种硅晶圆(silicon wafer)，包含：一硅切片(silicon slice)，该硅切片具有一第一表面；以及一第一杂质捕集区域(gettering region)，该第一杂质捕集区域形成于该硅切片的该第一表面上，并且由施加于该硅切片的该第一表面的一处理(treatment)形成。 | ||
| 地址 | 215300江苏省昆山市高新技术园汉浦路303号 | ||