发明名称 |
不对称静态随机存取存储器 |
摘要 |
本发明提供一种不对称静态随机存取存储器,包括至少一个静态随机存取存储单元,静态随机存取存储单元包括一第一反相器和一第二反相器。第一反相器耦接于第一电源和接地电源之间,并具有第一输出端耦接第一节点和第一输入端耦接第二节点。第二反相器耦接于第一电源和接地电源之间,并具有第二输入端耦接第一节点和第二输出端耦接第二节点。其中当第一电源提供给第一反相器和第二反相器时,静态随机存取存储单元通过第一反相器和第二反相器具有不同导通程度以预先程序化一特定值。 |
申请公布号 |
CN101650969A |
申请公布日期 |
2010.02.17 |
申请号 |
CN200810131388.3 |
申请日期 |
2008.08.11 |
申请人 |
世界先进积体电路股份有限公司 |
发明人 |
陈瑞隆;陈伟松;钟毅勋;张家铨 |
分类号 |
G11C11/41(2006.01)I;G11C11/413(2006.01)I |
主分类号 |
G11C11/41(2006.01)I |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 |
代理人 |
任默闻 |
主权项 |
1、一种不对称静态随机存取存储器,包括至少一个静态随机存取存储单元,其特征在于,所述静态随机存取存储单元包括:一第一反相器,耦接于一第一电源和一接地电源之间,具有一第一输出端耦接一第一节点和一第一输入端耦接一第二节点;以及一第二反相器,耦接于所述第一电源和所述接地电源之间,具有一第二输入端耦接所述第一节点和一第二输出端耦接所述第二节点;其中当所述第一电源提供给所述第一反相器和所述第二反相器时,所述静态随机存取存储单元通过所述第一反相器和所述第二反相器具有不同导通程度以预先程序化一特定值。 |
地址 |
台湾省新竹科学工业园区 |