| 发明名称 |
一种精细调控单晶SiC低维纳米结构的方法 |
| 摘要 |
一种精细调控单晶SiC低维纳米结构的方法，其包括以下具体步骤：(1)聚合物前驱体于260℃保温30min热交联固化，然后球磨粉碎；(2)C基板0.1～0.2mol/L Fe(NO<sub>3</sub>)<sub>3</sub>或Co(NO<sub>3</sub>)<sub>2</sub>催化剂乙醇溶液中浸渍5～10s，取出后自然晾干；(3)将粉碎得到的粉末和浸渍处理的C基板置于Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>坩埚中，(4)将Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>坩埚置于气氛烧结炉中，在Ar气氛保护下于1550℃进行高温热解10～120min，同时改变保护气氛的压力；(5)随炉冷却。本发明通过改变保护气氛压力，从而改变纳米结构生长所需气源的浓度，实现单晶SiC低维纳米结构的精细调控和设计。本发明可以成为纳米结构精细调控的一种普适方法，对于纳米结构在光电等领域的实际应用具有重要的意义和价值。 |
| 申请公布号 |
CN101649490A |
申请公布日期 |
2010.02.17 |
| 申请号 |
CN200910160764.6 |
申请日期 |
2009.07.17 |
| 申请人 |
宁波工程学院;清华大学;安立楠 |
发明人 |
杨为佑;王华涛;谢志鹏;安立楠 |
| 分类号 |
C30B29/36(2006.01)I;C30B29/62(2006.01)I;C01B31/36(2006.01)I |
主分类号 |
C30B29/36(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
1、一种精细调控单晶SiC低维纳米结构的方法，其包括以下具体步骤：1)聚合物前驱体在气氛烧结炉中于260℃保温30min热交联固化，然后球磨粉碎；2)C基板在0.1～0.2mol/L Fe(NO3)3或Co(NO3)2催化剂乙醇溶液中浸渍5～10s，取出后自然晾干；3)将粉碎得到的粉末和浸渍处理的C基板置于Al2O3坩埚中；4)将Al2O3坩埚置于气氛烧结炉中，在Ar气氛保护下于1550℃进行高温热解10～120min，同时改变保护气氛的压力；5)随炉冷却。 |
| 地址 |
315016浙江省宁波市海曙区文化路后河巷20号 |
