| 发明名称 | 一种ZnO基异质结及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开的ZnO基异质结为n-ZnO/p-SnO，在衬底上自下而上依次沉积有n-ZnO薄膜层和p-SnO薄膜层，其中，n-ZnO薄膜层为Zn<sub>1-x</sub>Al<sub>x</sub>O或Zn<sub>1-x</sub>Ga<sub>x</sub>O，0＜x＜0.05。其制备采用的是脉冲激光沉积法，首先制作Al或Ga掺杂的ZnO陶瓷靶以及纯SnO陶瓷靶；然后以Al或Ga掺杂的ZnO陶瓷靶为靶材在衬底上沉积n-ZnO薄膜层，再以SnO陶瓷靶为靶材在n-ZnO薄膜层上沉积p-SnO薄膜层。本发明方法简单，成本低，生长条件易控；制得的n-ZnO/p-SnO异质结可以用作绿光、蓝紫光等发光二极管。 | ||
| 申请公布号 | CN101651148A | 申请公布日期 | 2010.02.17 |
| 申请号 | CN200910152502.5 | 申请日期 | 2009.09.10 |
| 申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 叶志镇;潘新花 |
| 分类号 | H01L29/15(2006.01)I;H01L21/203(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/15(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人 | 韩介梅 |
| 主权项 | 1.一种ZnO基异质结，其特征在于，在衬底(1)上自下而上依次沉积有n-ZnO薄膜层(2)和p-SnO薄膜层(3)，其中，n-ZnO薄膜层为Zn1-xAlxO或Zn1-xGaxO，0＜x＜0.05。 | ||
| 地址 | 310027浙江省杭州市浙大路38号 | ||