| 发明名称 | 电子器件以及操作电子器件的方法 | ||
| 摘要 | 电子器件(100)包括导热结构(103)和相变结构(104)，通过加热，该相变结构(104)可以在两种相态之间转换，其中，该相变结构(104)在两种相态中的至少一种相态是导电的，其中，该导热结构(103)被布置成由入射在导热结构上的辐射(106)加热，其中，该相变结构(104)热耦合到该导热结构(103)，使得该相变结构(104)在辐射(106)入射在该导热结构(103)上时在这两种相态之间转换。 | ||
| 申请公布号 | CN101652874A | 申请公布日期 | 2010.02.17 |
| 申请号 | CN200880010971.7 | 申请日期 | 2008.03.19 |
| 申请人 | NXP股份有限公司 | 发明人 | 戴维·蒂奥·卡斯特罗;卡伦·阿滕伯勒 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈 源;张天舒 |
| 主权项 | 1.一种电子器件(100)，所述电子器件(100)包括导热结构(103)；可转换结构(104)，通过加热，所述可转换结构(104)在至少两种状态之间转换，其中，所述可转换结构(104)在所述至少两种状态中的不同状态具有不同的电气性能；其中，所述导热结构(103)被布置得与入射在所述导热结构(103)上的辐射(106)相互作用；其中，所述可转换结构(104)耦合到所述导热结构(103)，使得当所述辐射(106)入射在所述导热结构(103)上时，所述可转换结构(104)在所述至少两种状态的不同状态之间转换。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||