金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法

摘要

本发明提供一种金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该MOSFET包括：半导体衬底；设置在该半导体衬底的预定部分从而定义有源区的器件隔离区；源极区和漏极区，在该有源区内关于沟道区彼此间隔开；以及形成在该源极区和漏极区之间在该有源区上的栅极电极。此外，该MOSFET还色括形成在该有源区和该栅极电极之间的栅极绝缘层，所述栅极绝缘层包括设置在该栅极电极的中心部分下的中心栅极绝缘层和设置在该栅极电极的边缘部分下从而具有与所述中心栅极绝缘层的底部齐平的底表面以及突起从而比所述中心栅极绝缘层的上表面高的上表面的边缘栅极绝缘层。

主权项

1.一种金属氧化物半导体场效应晶体管，包括：半导体衬底；设置在该半导体衬底的预定部分从而定义有源区的器件隔离区；源极区和漏极区，在该有源区内关于沟道区彼此间隔开；形成在该源极区和漏极区之间在该有源区上的栅极电极；以及形成在该有源区和该栅极电极之间的栅极绝缘层，所述栅极绝缘层包括设置在该栅极电极的中心部分下的中心栅极绝缘层和设置在该栅极电极的边缘部分下从而具有与所述中心栅极绝缘层的底表面齐平的底部以及突起从而比所述中心栅极绝缘层的上表面高的上表面的边缘栅极绝缘层，其中所述边缘栅极绝缘层包括暴露所述沟道区的第一绝缘层图案和第二绝缘层的堆叠在所述第一绝缘层图案上的部分，所述中心栅极绝缘层包括所述第二绝缘层的形成在所述沟道区上的部分，且其中所述第一绝缘层图案包括多个层。