| 发明名称 | 半导体存储器及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体存储器的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第IA区域和第IB区域；在半导体衬底上依次形成栅介质层和栅极，所述第IA区域的栅介质层为电荷陷阱区，所述第IB区域的栅介质层为非电荷陷阱区；半导体衬底的第IA区域和第IB区域形成有源/漏延伸区；半导体衬底的第IA区域和第IB区域形成有源/漏极，相应地本发明还提供一种半导体存储器。本发明还提供一种半导体器件及其形成方法，采用本发明形成的半导体存储器能够进行两字节存储，实现高密度存储功能；同时，采用本发明的形成逻辑电路与存储电路方法相互兼容。 | ||
| 申请公布号 | CN100590853C | 申请公布日期 | 2010.02.17 |
| 申请号 | CN200610147320.5 | 申请日期 | 2006.12.15 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 季明华 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种半导体存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第IA区域和第IB区域；在半导体衬底上依次形成栅介质层和栅极，栅介质层形成进一步包括，在半导体衬底上形成HfO2、Al2O3、La2O3、HfSiON或者HfAlO2的高k介质作为栅介质层，栅介质层自身含有电荷陷阱；在第IB区域的栅介质层中进行氟离子或者氮离子注入消除电荷陷阱，形成非电荷陷阱区，第IA区域的栅介质层形成电荷陷阱区；半导体衬底的第IA区域和第IB区域形成有源/漏延伸区；半导体衬底的第IA区域和第IB区域形成有源/漏极，在栅极上加电压，在半导体衬底中形成的导电沟道把相应的源/漏极相电连接。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||