发明名称 测量曝光机台焦平面均匀度的方法
摘要 本发明公开一种测量曝光机台焦平面均匀度的方法,包括:制作一图形区域具有多个相同单元格且每个单元格具有多种不同典型图形的特殊掩模版;采用该特殊掩模版并利用一曝光机台对一晶圆的不同区域逐一曝光;利用一缺陷检测机台,对曝光后的该测量用晶圆自动检测其缺陷状况;根据该缺陷状况,结合焦距的平移量计算获得该曝光机台焦平面的均匀度。本发明提高了曝光机台焦平面均匀度测量的灵敏度和准确度,且提高了量测效率,便于曝光机台焦平面的维护和性能监测。
申请公布号 CN101650534A 申请公布日期 2010.02.17
申请号 CN200910055377.6 申请日期 2009.07.24
申请人 上海宏力半导体制造有限公司 发明人 吴永君
分类号 G03F7/20(2006.01)I;G03F1/00(2006.01)I 主分类号 G03F7/20(2006.01)I
代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人 郑 玮
主权项 1.一种测量曝光机台焦平面均匀度的方法,其特征在于,包括如下步骤:制作一特殊掩模版,该特殊掩模版的图形尺寸至少小于一测量用晶圆的面积,该特殊掩模版包括不少于16个的相同单元格,每个单元格至少包括两种以上不同的图形,每种图形至少具有两种不同尺寸;采用该特殊掩模版并利用一曝光机台对该测量用晶圆的不同区域逐一曝光,对该测量用晶圆不同列的区域进行曝光时采取焦距平移,对该晶圆不同行的区域进行曝光时采取曝光能量平移;利用一缺陷检测机台,对曝光后的该测量用晶圆自动检测其缺陷状况;根据该缺陷状况,结合焦距的平移量计算获得该曝光机台焦平面的均匀度。
地址 201203上海市张江高科技园区郭守敬路818号