| 发明名称 | 发光二极管装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种发光二极管装置及其制造方法，此发光二极管装置包括：一半导体基板；凸起区域，形成在上述半导体基板上，上述凸起区域包括一半导体材料；一第一接触层，位于上述凸起区域上，上述第一接触层具有一非平坦表面；一非平坦的活性层，位于上述第一接触层上；以及一第二接触层，位于上述非平坦的活性层上，上述第二接触层具有一平坦表面。本发明第一接触层与活性层的非平坦表面外形会增加暴露表面的面积，以此增加发光二极管装置的发光效率。 | ||
| 申请公布号 | CN101651179A | 申请公布日期 | 2010.02.17 |
| 申请号 | CN200910128884.8 | 申请日期 | 2009.03.23 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 余振华;邱文智;陈鼎元;余佳霖;林宏达 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 姜 燕;陈 晨 |
| 主权项 | 1.一种发光二极管装置，包括：一半导体基板；凸起区域，形成于上述半导体基板上，上述凸起区域包括一半导体材料；一第一接触层，位于上述凸起区域上，上述第一接触层具有一非平坦表面；一非平坦的活性层，位于上述第一接触层上；以及一第二接触层，位于上述非平坦的活性层上，上述第二接触层具有一平坦表面。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||