| 发明名称 | 无缝浅沟隔离的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种无缝浅沟隔离的制作方法，首先提供具有至少一浅沟槽的半导体基底，该半导体基底上形成有介电层，该介电层填满该浅沟槽且具有接缝(seam)。随后在该介电层表面形成至少一修补层，最后进行低温蒸气退火工艺，用以消除该接缝。 | ||
| 申请公布号 | CN100590840C | 申请公布日期 | 2010.02.17 |
| 申请号 | CN200710109544.1 | 申请日期 | 2007.06.25 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 施惠绅 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种无缝浅沟隔离的制作方法，包含有：提供具有至少一浅沟槽的半导体基底，该半导体基底上形成有介电层，该介电层填满该浅沟槽且具有接缝；在该介电层表面形成至少一修补层，该修补层包含有富硅层或纯硅层；以及进行低温蒸气退火工艺，用以消除该接缝，其中该低温蒸气退火工艺的退火温度介于500℃至800℃之间。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||