| 发明名称 | 半导体纳米复合薄膜的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体纳米复合薄膜的制备方法。本发明将可形成硫化镉纳米颗粒的分子前驱体溶于氧化钛溶胶，从而实现前驱体与氧化钛胶粒分子级别的均匀混合，将此溶胶再进行涂膜，进而进行热处理，在热处理过程中前驱体在氧化钛膜中原位形成硫化镉纳米颗粒。 | ||
| 申请公布号 | CN100590895C | 申请公布日期 | 2010.02.17 |
| 申请号 | CN200710078087.4 | 申请日期 | 2007.12.25 |
| 申请人 | 中国科学院兰州化学物理研究所 | 发明人 | 娄文静;王晓波;郝京诚;陈淼 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L21/368(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 兰州中科华西专利代理有限公司 | 代理人 | 方晓佳 |
| 主权项 | 1、一种半导体纳米复合薄膜的制备方法，其特征在于该方法包含以下步骤：(a)配制前驱体溶液，所述的前驱体是指双烷基双硫代磷酸镉盐，溶液中的溶剂选自N，N-二甲基甲酰胺、丙酮、甲醇或乙醇；(b)将前驱体溶液与氧化钛溶胶混合均匀；(c)在基材表面涂膜；(d)将涂膜后的基材在200～800℃下进行热处理后，得到CdS/TiO2半导体纳米复合薄膜。 | ||
| 地址 | 730000甘肃省兰州市城关区天水中路18号 | ||