发明名称 |
等离子生成设备和使用等离子生成设备的膜形成设备 |
摘要 |
通过使由会聚线圈从等离子枪提取的等离子束(25)通过下面的磁场,使得束的横断面扁平化:该磁场在与等离子束的行进方向正交的方向上延伸,并且通过由相互平行地成对相对配置的永磁体构成的磁体(27)形成。提供一种使用具有0.7≤Wi/Wt的等离子束的等离子设备,其中,相对于扁平化后的束28的宽度Wt,束强度的半值为Wi。包括至少一个在束的中心处的排斥磁场的强度更强的磁体。 |
申请公布号 |
CN101652498A |
申请公布日期 |
2010.02.17 |
申请号 |
CN200780052204.8 |
申请日期 |
2007.04.24 |
申请人 |
佳能安内华股份有限公司 |
发明人 |
中河原均 |
分类号 |
C23C14/24(2006.01)I;H05H1/24(2006.01)I;H01J37/04(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/24(2006.01)I |
代理机构 |
北京林达刘知识产权代理事务所 |
代理人 |
刘新宇;陈立航 |
主权项 |
1.一种等离子设备,包括:等离子枪;磁体,用于向来自所述等离子枪的等离子束施加磁场,以使得所述等离子束的横断面变形成基本上为矩形或椭圆形;以及用于搁置以横断面已变形的等离子束照射的被照射体的部件,所述等离子设备的特征在于:横断面已变形成基本上为矩形或椭圆形横断面的等离子束在以所述等离子束照射的所述被照射体的表面上的强度分布表示为0.4≤Wi/Wt≤1,其中,Wt是所述等离子束的横断面在长度方向上的宽度,Wi是在所述等离子束的横断面的长度方向上离子强度为以所述等离子束照射的所述被照射体上的最大离子强度(Imax)的半值时的宽度。 |
地址 |
日本神奈川县 |