等离子体增强原子层沉积方法和包含由此形成的膜的半导体器件

摘要

一种用于利用等离子体增强原子层沉积(PEALD)工艺在衬底上沉积膜的方法包括将衬底放置在被配置为促进PEALD工艺的工艺室中、将第一处理材料引入工艺室内以及将第二处理材料引入工艺室内。该方法还包括在第二处理材料的引入期间将电磁功率耦合到工艺室，以生成促进在衬底表面处第一和第二处理材料之间的还原反应的等离子体。该方法还包括将反应性净化气体引入工艺室内，所述反应性净化气体与工艺室中的污染物发生化学反应以从工艺室部件或衬底中的至少一个中释放出污染物。

主权项

1.一种用于利用等离子体增强原子层沉积(PEALD)工艺在衬底上沉积膜的方法，包括：将所述衬底放置在被配置为促进所述PEALD工艺的工艺室中；将第一处理材料引入所述工艺室内；在将第一处理材料引入所述工艺室内之后，将第二处理材料引入所述工艺室内；在所述第二处理材料的引入期间将电磁功率耦合到所述工艺室，以生成促进在所述衬底表面处的所述第一和第二处理材料之间的还原反应的等离子体，所述还原反应将所述膜以固体状态沉积在所述衬底上；以及在所述第一处理材料和所述第二处理材料之间的将所述膜以固体状态沉积在所述衬底上的所述还原反应完成之后，将第三材料引入所述工艺室内，所述第三材料是反应性气体，所述反应性气体与所述工艺室中的污染物发生化学反应以从工艺室部件或所述衬底中的至少一个中释放出所述污染物。