全自对准条型栅功率垂直双扩散场效应晶体管的制作方法

摘要

本发明涉及半导体器件及集成电路制造工艺技术领域，公开了一种制作全自对准条型栅功率DMOS晶体管的方法，包括：A.在衬底上生长外延，然后进行场区氧化，形成场氧化层；B.刻蚀有源区的场氧化层，进行栅氧化，淀积多晶硅，对淀积的多晶硅进行掺杂；C.对掺杂后的多晶硅进行光刻、刻蚀，硼注入，高温推进形成P-阱区；D.对多晶硅进行砷注入形成浅源区，然后淀积并反刻形成侧墙；E.对多晶硅进行硼注入，并淀积钴膜，形成钴的硅化物，利用钴的硅化物形成P-阱接触；F.进行硼磷硅玻璃淀积，光刻与刻蚀引线孔；G.金属溅射并进行光刻与刻蚀。利用本发明，简化了制作工艺，降低了制作成本，提高了功率DMOS晶体管的工作频率。

主权项

1、一种制作全自对准条型栅功率垂直双扩散场效应晶体管的方法，其特征在于，该方法包括：A、在衬底上生长外延，然后进行场区氧化，形成场氧化层；B、刻蚀有源区的场氧化层，进行栅氧化，淀积多晶硅，对淀积的多晶硅进行掺杂；C、对掺杂后的整个硅片进行光刻、刻蚀，硼注入，高温推进形成P-阱区；D、对整个硅片进行砷注入形成浅源区，然后淀积并反刻形成侧墙；E、对整个硅片进行硼注入，并淀积钴膜，形成钴的硅化物，利用钴的硅化物形成P-阱接触；F、进行硼磷硅玻璃淀积，光刻与刻蚀引线孔；G、金属溅射并进行光刻与刻蚀。