| 发明名称 | 一种非晶镧镥氧化物阻变薄膜及其制备方法和应用 | ||
| 摘要 | 一种制备非晶镧镥氧化物阻变薄膜材料的方法，镧镥氧化物陶瓷靶材的制备：在将占混合粉末总摩尔量40-60％的La<sub>2</sub>O<sub>3</sub>和40-60％的Lu<sub>2</sub>O<sub>3</sub>粉末均匀混合后，球磨12-15小时，然后在1200℃-1400℃进行预烧结，再次研磨后在1500℃-1800℃烧结12-18小时，制成镧镥氧陶瓷靶材；将镧镥氧化物陶瓷靶材固定在脉冲激光沉积制膜系统装置生长室中，用真空泵将生长室抽真空到5.0×10<sup>-4</sup>Pa以下；用电炉丝将衬底台加热至300～500℃；启动激光器，使激光束通过聚焦透镜聚焦在镧镥氧化物陶瓷靶材上，在衬底上沉积厚度为30nm～500nm厚的非晶镧镥氧化物薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN101649443A | 申请公布日期 | 2010.02.17 |
| 申请号 | CN200910184700.X | 申请日期 | 2009.08.28 |
| 申请人 | 南京大学 | 发明人 | 李魁;夏奕东;国洪轩;高旭;殷江;刘治国 |
| 分类号 | C23C14/28(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人 | 李纪昌 |
| 主权项 | 1.一种制备非晶镧镥氧化物阻变薄膜材料的方法，其特征在于制备步骤为：a.镧镥氧化物陶瓷靶材(4)的制备：在将占混合粉末总摩尔量40-60％的La2O3和40-60％的Lu2O3粉末均匀混合后，球磨12-15小时，然后在1200℃-1400℃进行预烧结，再次研磨后在1500℃-1800℃烧结12-18小时，制成镧镥氧陶瓷靶材(4)；b.将镧镥氧化物陶瓷靶材(4)固定在脉冲激光沉积制膜系统装置生长室(6)中，用真空泵将生长室(6)抽真空到5.0×10-4Pa以下；c.用电炉丝将衬底台(8)加热至300～500℃；d.启动激光器(2)，使激光束通过聚焦透镜(3)聚焦在镧镥氧化物陶瓷靶材(4)上，在衬底(1)上沉积厚度为30nm～500nm厚的非晶镧镥氧化物薄膜。 | ||
| 地址 | 210093江苏省南京市汉口路22号 | ||