| 发明名称 | 多晶薄膜和其制造方法及氧化物超导导体 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于，提供通过在维持良好的晶体取向性的同时将中间层薄膜化、从而防止由膜的内部应力导致的基板的翘曲的多晶薄膜。本发明的多晶薄膜，其特征在于，在金属基材上形成中间层，所述中间层依次层叠第一层和第二层而成，所述第一层和所述第二层的晶体结构分别为岩盐结构和萤石结构。 | ||
| 申请公布号 | CN101652505A | 申请公布日期 | 2010.02.17 |
| 申请号 | CN200880010929.5 | 申请日期 | 2008.03.28 |
| 申请人 | 株式会社藤仓;财团法人国际超电导产业技术研究中心 | 发明人 | 饭岛康裕;羽生智 |
| 分类号 | C30B29/22(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;H01B12/06(2006.01)I;H01L39/24(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 蒋 亭;苗 堃 |
| 主权项 | 1.一种多晶薄膜，其特征在于，在金属基材上形成中间层，所述中间层依次层叠第一层和第二层而成，所述第一层和所述第二层的晶体结构分别为岩盐结构和萤石结构。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||