发明名称 倒装焊发光二极管芯片的制造方法
摘要 一种倒装焊发光二极管芯片的制造方法,其特征在于包括以下步骤:①首先,根据LED芯片工艺制作好LED芯片B,在芯片B的嵌合面蒸镀有Ag金属反光层,既让电流更为均匀,又让光从LED芯片的背面射出;②根据芯片B,制造大小合适的芯片A,在芯片A上通过光刻或电镀或蒸发工艺制作出金属凸点和金属围墙,然后把LED芯片B放入芯片A的围墙内,通过加压和加热,把芯片B和芯片A结合在一起。本发明简化了倒装焊LED芯片的制造工艺,提高了芯片的可靠性,从而提升良率,而且无需使用复杂的设备,因此大大降低了制造成本,有望应用于LED芯片特别是大功率LED芯片的大规模制造。
申请公布号 CN100591181C 申请公布日期 2010.02.17
申请号 CN200710053027.7 申请日期 2007.08.24
申请人 武汉华灿光电有限公司 发明人 鲍坚仁;应华兵;张建宝;曾灵琪
分类号 H05B33/10(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I 主分类号 H05B33/10(2006.01)I
代理机构 武汉帅丞知识产权代理有限公司 代理人 朱必武
主权项 1、一种倒装焊发光二极管芯片的制造方法,其特征在于包括以下步骤:①首先,根据LED芯片工艺制作好LED芯片B,在芯片B的嵌合面蒸镀有Ag金属反光层,既让电流均匀,又让光从LED芯片的背面射出;②根据芯片B,制造大小合适的芯片A,在芯片A上通过光刻或电镀或蒸发工艺制作出金属凸点和金属围墙,然后把LED芯片B放入芯片A的围墙内,通过加压和加热,把芯片B和芯片A可靠地结合在一起。
地址 430223湖北省武汉市东湖新技术开发区武大科技园创业楼2015室