发明名称 |
倒装焊发光二极管芯片的制造方法 |
摘要 |
一种倒装焊发光二极管芯片的制造方法,其特征在于包括以下步骤:①首先,根据LED芯片工艺制作好LED芯片B,在芯片B的嵌合面蒸镀有Ag金属反光层,既让电流更为均匀,又让光从LED芯片的背面射出;②根据芯片B,制造大小合适的芯片A,在芯片A上通过光刻或电镀或蒸发工艺制作出金属凸点和金属围墙,然后把LED芯片B放入芯片A的围墙内,通过加压和加热,把芯片B和芯片A结合在一起。本发明简化了倒装焊LED芯片的制造工艺,提高了芯片的可靠性,从而提升良率,而且无需使用复杂的设备,因此大大降低了制造成本,有望应用于LED芯片特别是大功率LED芯片的大规模制造。 |
申请公布号 |
CN100591181C |
申请公布日期 |
2010.02.17 |
申请号 |
CN200710053027.7 |
申请日期 |
2007.08.24 |
申请人 |
武汉华灿光电有限公司 |
发明人 |
鲍坚仁;应华兵;张建宝;曾灵琪 |
分类号 |
H05B33/10(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I |
主分类号 |
H05B33/10(2006.01)I |
代理机构 |
武汉帅丞知识产权代理有限公司 |
代理人 |
朱必武 |
主权项 |
1、一种倒装焊发光二极管芯片的制造方法,其特征在于包括以下步骤:①首先,根据LED芯片工艺制作好LED芯片B,在芯片B的嵌合面蒸镀有Ag金属反光层,既让电流均匀,又让光从LED芯片的背面射出;②根据芯片B,制造大小合适的芯片A,在芯片A上通过光刻或电镀或蒸发工艺制作出金属凸点和金属围墙,然后把LED芯片B放入芯片A的围墙内,通过加压和加热,把芯片B和芯片A可靠地结合在一起。 |
地址 |
430223湖北省武汉市东湖新技术开发区武大科技园创业楼2015室 |