一种MOS场效应管制造方法

摘要

本发明公开了一种MOS场效应管的制造方法，MOS场效应管栅极的侧壁底部向内凹陷，其氮化硅侧墙下的氧化层厚度为栅氧厚度，包括以下步骤：1.阱离子注入，阱离子注入退火，牺牲氧化层剥离；2.生长或淀积一层厚氧化层；3.对源-衬底PN结与栅边缘之间任意一点到漏-衬底PN结与栅边缘之间任意一点之间的厚氧进行完全刻蚀；4.生长栅氧；5.淀积多晶硅栅；6.对多晶硅栅进行光刻和刻蚀；7.对厚氧区域的氧化层进行刻蚀；8.常规工艺中的栅刻蚀之后的工艺，且第二步中生长或淀积的厚氧化层厚度为第四步中生长的栅氧厚度的2至5倍。本发明适用于MOS场效应管的制作工艺。

主权项

1.一种制造MOS场效应管的方法，该MOS场效应管栅极的侧壁底部向内凹陷，并且其氮化硅侧墙下的氧化层厚度为栅氧厚度，其特征在于，包括以下步骤：第一步，阱离子注入，阱离子注入退火，牺牲氧化层剥离；第二步，在硅衬底上生长或淀积一层厚氧化层；第三步，对中间区域的厚氧进行完全刻蚀，该厚氧刻蚀区域为从后续工艺中的源-衬底PN结与栅边缘之间任意一点到漏-衬底PN结与栅边缘之间任意一点之间；第四步，生长栅氧；第五步，淀积多晶硅栅；第六步，对多晶硅栅进行光刻和刻蚀；第七步，对厚氧区域的氧化层进行刻蚀，使其剩余膜厚为栅氧厚度；第八步，常规工艺中的栅刻蚀之后的工艺，且第二步中生长或淀积的厚氧化层厚度为第四步中生长的栅氧厚度的2至5倍。