发明名称 一种非布司他晶型及其制备方法
摘要 一种非布司他晶型,该晶型x-ray射线粉末衍射在反射角2θ为6.80±0.2°,11.04±0.2°,13.56±0.2°,15.74±0.2°,17.64±0.2°,20.36±0.2°,22.10±0.2°,24.72±0.2°,25.38±0.2°,28.80±0.2°,29.10±0.2°处有特征峰。本发明还提供了这种非布司他晶型的制备方法。本发明所得晶型具有良好的稳定性,适合制剂工艺应用和长期贮存。
申请公布号 CN101648926A 申请公布日期 2010.02.17
申请号 CN200910074846.9 申请日期 2009.07.09
申请人 石药集团欧意药业有限公司;北京博时安泰科技发展有限公司 发明人 张典鹏;颜文革;李瑞建;董鹏;胡艳茹
分类号 C07D277/56(2006.01)I;A61P19/06(2006.01)I 主分类号 C07D277/56(2006.01)I
代理机构 石家庄冀科专利商标事务所有限公司 代理人 李羡民
主权项 1.一种非布司他晶型,其特征在于,该晶型X-射线粉末衍射在反射角2θ为6.80±0.2°,11.04±0.2°,13.56±0.2°,15.74±0.2°,17.64±0.2°,20.36±0.2°,22.10±0.2°,24.72±0.2°,25.38±0.2°,28.80±0.2°,29.10±0.2°处有特征峰,该晶型称为Q晶型。
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