发明名称 |
一种非布司他晶型及其制备方法 |
摘要 |
一种非布司他晶型,该晶型x-ray射线粉末衍射在反射角2θ为6.80±0.2°,11.04±0.2°,13.56±0.2°,15.74±0.2°,17.64±0.2°,20.36±0.2°,22.10±0.2°,24.72±0.2°,25.38±0.2°,28.80±0.2°,29.10±0.2°处有特征峰。本发明还提供了这种非布司他晶型的制备方法。本发明所得晶型具有良好的稳定性,适合制剂工艺应用和长期贮存。 |
申请公布号 |
CN101648926A |
申请公布日期 |
2010.02.17 |
申请号 |
CN200910074846.9 |
申请日期 |
2009.07.09 |
申请人 |
石药集团欧意药业有限公司;北京博时安泰科技发展有限公司 |
发明人 |
张典鹏;颜文革;李瑞建;董鹏;胡艳茹 |
分类号 |
C07D277/56(2006.01)I;A61P19/06(2006.01)I |
主分类号 |
C07D277/56(2006.01)I |
代理机构 |
石家庄冀科专利商标事务所有限公司 |
代理人 |
李羡民 |
主权项 |
1.一种非布司他晶型,其特征在于,该晶型X-射线粉末衍射在反射角2θ为6.80±0.2°,11.04±0.2°,13.56±0.2°,15.74±0.2°,17.64±0.2°,20.36±0.2°,22.10±0.2°,24.72±0.2°,25.38±0.2°,28.80±0.2°,29.10±0.2°处有特征峰,该晶型称为Q晶型。 |
地址 |
050051河北省石家庄市中山西路276号 |