发明名称 | 具有锁存器的非易失性存储器装置 | ||
摘要 | 一种非易失性存储器装置包含用于管制非易失性存储器中多阶段编程过程的电路。示范性实施例使用快速通过写入技术,其中使用单个编程通过,但改变选定存储器单元的偏压以随着所述存储器单元接近其目标值而通过升高所述选定存储器单元的沟道的电压电平来减慢编程。本发明的原理性方面引入与读取/写入电路相关联的锁存器,所述读取/写入电路可沿着相应位线连接到每一选定存储器单元以用于存储处于此较低电平的检验的结果。 | ||
申请公布号 | CN100590743C | 申请公布日期 | 2010.02.17 |
申请号 | CN200680010776.5 | 申请日期 | 2006.03.27 |
申请人 | 桑迪士克股份有限公司 | 发明人 | 李彦;若尔-安德里安·瑟尼 |
分类号 | G11C16/34(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/34(2006.01)I |
代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 刘国伟 |
主权项 | 1.一种非易失性存储器装置,其包括:一个或一个以上存储器单元,其中所述存储器单元中每一者均能够存储N位数据,其中N大于或等于一;以及可连接到所述存储器单元的读取/写入电路,其包括:编程电路,用以向所述存储器单元施加单调地不减小的编程波形;偏压电路,用以在所述编程波形被施加到所述存储器单元的同时设定所述存储器单元中的偏压条件,其中在第一编程阶段期间使用第一组偏压条件且在第二编程阶段期间使用第二组偏压条件;以及一个或一个以上组锁存器,其中所述组锁存器中每一者均与所述存储器单元中与所述读取/写入电路连接的相应一者相关联,其中所述组锁存器中每一者的第一锁存器管制所述第一编程阶段和第二编程阶段中的哪一阶段有效。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |