| 发明名称 | 开口的填充方法及半导体器件的连接结构 | ||
| 摘要 | 一种开口的填充方法，提供第一开口，所述第一开口位于介电层内并暴露出位于介电层下的半导体衬底，包括如下步骤：在第一开口暴露出的半导体衬底上生长外延层，形成第二开口；在所述外延层上形成多晶硅层，填满第二开口。所述方法可以避免现有技术在开口内形成的多晶硅层内含有缝隙的缺陷。本发明还提供一种半导体器件的连接结构。 | ||
| 申请公布号 | CN100590844C | 申请公布日期 | 2010.02.17 |
| 申请号 | CN200710040251.2 | 申请日期 | 2007.04.24 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 虞肖鹏;张复雄 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种开口的填充方法，提供第一开口，所述第一开口位于介电层内并暴露出位于介电层下的半导体衬底，其特征在于，包括如下步骤：在第一开口暴露出的半导体衬底上生长外延层，形成第二开口；在所述外延层上形成多晶硅层，填满第二开口；所述第一开口的深/宽比大于等于3.0；所述第二开口的深/宽比小于等于1.5，所述外延层的厚度为第一开口深度的30％至100％。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||