| 发明名称 | 电容器、随机存储器单元的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种电容器的形成方法，包括下列步骤：在依次带有层间介电层和多晶硅层的半导体衬底上形成均匀的离散的原子岛；进行退火工艺，使原子岛与多晶硅层反应，形成离散的球形颗粒；以离散的球形颗粒为掩膜，蚀刻多晶硅层和层间介电层，在层间介电层内形成凹槽；在凹槽内外的层间介电层上依次形成第一导电层、绝缘介质层和第二导电层。本发明还提供随机存储器单元的形成方法。由于原子颗粒的大小及密集度可控，经过退火后形成的导电颗粒大小及密度也可控，因此随着半导体器件的减小，也不会造成导电颗粒间产生连接，增大电容器表面积，提高电容量。 | ||
| 申请公布号 | CN100590848C | 申请公布日期 | 2010.02.17 |
| 申请号 | CN200710044633.2 | 申请日期 | 2007.08.05 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 季华;季明华;三重野文健 |
| 分类号 | H01L21/822(2006.01)I;H01L21/8242(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/822(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种电容器的形成方法，其特征在于，包括下列步骤：在依次带有层间介电层和多晶硅层的半导体衬底上形成均匀的离散的原子岛，所述原子岛的材料为硅；进行退火工艺，使原子岛与多晶硅层反应，形成离散的球形颗粒；以离散的球形颗粒为掩膜，蚀刻多晶硅层和层间介电层，在层间介电层内形成凹槽；在凹槽内外的层间介电层上依次形成第一导电层、绝缘介质层和第二导电层。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||