| 摘要 |
<p>L'invention concerne un procédé d'implantation d'atomes et/ou d'ions dans un substrat, comportant : a) une première implantation d'ions ou d'atomes à une première profondeur dans le substrat, pour former un premier plan d'implantation, b) au moins une deuxième implantation d'ions ou d'atomes à au moins une deuxième profondeur dans le substrat, différente de la première profondeur, pour former au moins un deuxième plan d'implantation.</p> |
