光电二极体阵列及其制造方法，及放射线检测器

摘要

光电二极体阵列1系具备n型矽基板3。在n型矽基板3之被检测光L之入射面的相反面侧,复数个光电二极体4系形成阵列状。在n型矽基板3之被检测光L的入射面侧之未与形成有光电二极体4的区域对应之区域上,设置具有规定的高度之空间层6。

主权项

一种光电二极体阵列，其特征为：具备半导体基板，在该半导体基板之被检测光的入射面之相反面侧，以阵列状形成有复数个光电二极体，在该半导体基板之被检测光的该入射面侧之未与形成有该光电二极体的区域对应之区域上，设置具有规定的高度之突出部；于该半导体基板，在邻接的该各光电二极体之间设置用以将该各光电二极体分离之不纯物区域。