发明名称 |
用于4T互补式金氧半导体影像器像素中暗流及模糊抑制之方法及装置 |
摘要 |
本发明揭示一种操作一影像器像素之方法及装置,其包括在一电荷整合期间在一传送电晶体之闸极上施加一相对较小第一极性电压与一第二极性电压之复数个脉冲之动作。 |
申请公布号 |
TWI320659 |
申请公布日期 |
2010.02.11 |
申请号 |
TW095115917 |
申请日期 |
2006.05.04 |
申请人 |
美光科技公司 |
发明人 |
约翰 列德 |
分类号 |
H04N5/30;H01L27/14 |
主分类号 |
H04N5/30 |
代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
主权项 |
一种像素单元,其包含:一光感测器;一储存区域;以及一电晶体,其用于将光电荷从该光感测器传送至该储存区域,以及一控制电路,其用于在该光感测器之一整合期间将一第一极性电压施加至该电晶体之一控制闸极且在该相同的整合期间将一第二极性电压之复数个脉冲施加至该控制闸极,其中该等第一及第二极性电压具有相反的极性。 |
地址 |
美国 |