Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Fertigung

摘要

Ein Verfahren zur Fertigung einer Halbleitervorrichtung weist die folgenden Schritte auf: Bilden eines p-leitenden Halbleiterbereichs (36, 136) derart an einem n-leitenden Halbleitersubstrat (30, 130), dass der p-leitende Halbleiterbereich (36, 136) teilweise zu einer oberen Oberfläche (30a, 130a) des Halbleitersubstrats (30, 130) freigelegt ist, Bilden einer Schottky-Elektrode (22, 122) eines ersten Materials derart, dass die Schottky-Elektrode (22, 122) in Schottky-Kontakt mit einem n-leitenden Halbleiterbereich ist, der zur oberen Oberfläche (30a, 130a) des Halbleitersubstrats (30, 130) freigelegt ist, und Bilden einer ohmschen Elektrode (24, 124) eines vom ersten Material verschiedenen zweiten Materials derart, dass die ohmsche Elektrode (24, 124) in ohmschen Kontakt mit dem freigelegten p-leitenden Halbleiterbereich (36, 136) ist. Das Bilden der Schottky-Elektrode (22, 122) erfolgt vor dem Bilden der ohmschen Elektrode (24, 124).