| 摘要 |
Ein Halbleiterbauelement und ein Verfahren zur Herstellung des Bauelements enthalten das Verbinden eines zweiten Wafers mit einem ersten Wafer, das Ausbilden einer Hartmaskenschicht auf und/oder über einer Rückseite des zweiten Wafers, das Ausbilden eines Hartmaskenmusters über der zweiten Schicht und daraufhin das Ausbilden eines Durchkontaktierungslochs durch Ätzen des ersten und des zweiten Wafers bis in eine vorgegebene Tiefe unter Verwendung des Hartmaskenmusters als Ätzmaske.
|
