| 摘要 |
Die Erfindung betrifft einen organischen Feldeffekt-Transistor, insbesondere organischer Dünnschicht-Feldeffekt-Transistor, mit einer Gate-Elektrode, einer Drain-Elektrode und einer Source-Elektrode, einer aktiven Schicht aus organischem Material, die im Betrieb einen elektrischen Leitungskanal bildend ausgeführt ist, einer dielektrischen Schicht, welche die aktive Schicht von der Gate-Elektrode elektrisch isoliert, einer Dotierungsmaterial-Schicht, die aus einem molekularen Dotierungsmaterial besteht, dessen Moleküle aus zwei oder mehr Atomen bestehen und welches für das organische Material der aktiven Schicht ein elektrischer Dotand ist, und wobei die Dotierungsmaterial-Schicht in einem Grenzflächenbereich zwischen der aktiven Schicht und der dielektrischen Schicht oder benachbart zu dem Grenzflächenbereich gebildet ist.
|
