平坦化半导体晶粒的方法

摘要

本发明揭示一种CMP平坦化在一氮化矽上之二氧化矽层的方法。一晶圆其具有数个界定在晶圆上之实质上相同的半导体晶粒。每个晶粒都被一标记线所彼此分隔。一氮化矽层系被形成在该晶圆的平面上，其中氮化矽具有一实质上与顶平行部的平面。一具有不定高度之二氧化矽层系被沈积在该顶部表面上。一光罩系在包括标记线之整个晶圆上形成，其中该光罩具有数个位置，每个位置都有不同之间隙相对于柱状区浓密度的比率，其系与在顶部表面上之二氧化矽的高度成比例。该二氧化矽系在整个晶圆被各向相异性地蚀刻过光罩的每个间隙，其中每个间隙系在高度方向上被蚀刻相同的数量值。CMP然后用来平坦化整个晶圆的二氧化矽至氮化矽的顶部表面。

主权项

一种在一半导体晶粒的一第二材料上化学机械性研磨(CMP)一第一材料的方法，其包含：在一半导体晶圆上界定数个实质上相同的半导体晶粒，该晶圆具有一平面，且其中该数个晶粒系以一标记线彼此分隔；在该平面上形成一该第二材料层，其中该第二材料层具有一实质上平行于该平面之顶部表面；在该顶部表面上形成一第一材料层，其中该第一材料层在顶部表面之上的高度方向上系有变化的；在整个晶圆上形成一光罩，其中该光罩具有数个位置，每个位置都具有不同的间隙相对于柱状区之浓密度比率，该比率系与在该顶部表面之上的该第一材料的该高度成比例；各向相异地经过整个晶圆上该光罩的每个间隙蚀刻该第一材料，其中每个间隙系在该高度方向上以相同数量值被蚀刻；且使用CMP作用来平坦化整个晶圆的该第一材料至该顶部表面。