| 摘要 |
<p>Dispositif mémoire (100) comportant au moins : - une électrode (107) à base d'un matériau électriquement conducteur, - une portion (108) d'au moins un matériau de résistivité supérieure à celle du matériau de l'électrode disposée autour et/ou à côté de l'électrode, - un électrolyte solide (111) empilé sur au moins une partie de l'électrode et de la portion de matériau électriquement isolant, et comportant des ions métalliques issus d'une portion de métal ionisable (113) disposée contre l'électrolyte solide, le rapport entre le coefficient de résistivité électrique du matériau de résistivité supérieure à celle du matériau de l'électrode et le coefficient de résistivité électrique du matériau de l'électrode étant égal ou supérieur à environ 100, et le coefficient de conductivité thermique du matériau électriquement isolant étant égal ou supérieur à environ 10 W.cm-1.K-1.</p> |
