发明名称 CIRCUIT DE PROTECTION D'UN CIRCUIT INTEGRE CONTRE DES DECHARGES ELECTROSTATIQUES EN TECHNOLOGIE CMOS.
摘要 <p>Le circuit intégré comprend au moins un moyen de protection électronique contre au moins une décharge électrostatique apte à évacuer le courant de surtension généré par la décharge électrostatique. Le moyen de protection électronique comprend un commutateur commandé de court-circuit réalisé en technologie CMOS comportant un triac de technologie CMOS ou un thyristor de technologie CMOS monté anti-parallèlement à une diode de technologie CMOS, et des moyens de déclenchement pour commander le commutateur de court-circuit.</p>
申请公布号 FR2934710(A1) 申请公布日期 2010.02.05
申请号 FR20080055383 申请日期 2008.08.04
申请人 STMICROELECTRONICS SA 发明人 GALY PHILIPPE;ENTRINGER CHRISTOPHE;DRAY ALEXANDRE
分类号 H01L23/60;H01L27/02;H02H9/00 主分类号 H01L23/60
代理机构 代理人
主权项
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