Durchlassstromeinstellung für Transistoren durch lokale Gateanpassung

摘要

In einer Speicherzelle werden die Durchlassströme der Transistoren eingestellt, indem in lokaler Weise eine größere Gatedielektrikumsdicke und/oder eine Gatelänge für einen oder mehrere Transistoren der Speicherzelle vorgesehen werden. D.h., die Gatelänge und/oder die Gatedielektrikumsdicke variieren entlang der Transistorbreitenrichtung, woduch ein effizienter Mechanismus zum Einstellen des effektiven Durchlassstromes bereitgestellt wird, während gleichzeitig die Verwendung einer vereinfachten Geometrie des aktiven Gebiets möglich ist, was zu einer erhöhten Produktionsausbeute auf Grund der besseren Prozessgleichmäßigkeit führt. Insbesondere die Erzeugung von Kurzschlüssen, die durch Nickelsilizidbereiche hervorgerufen werden, wird verringert.