发明名称 |
PRODUCTION METHOD FOR A III-V BASED OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP CONTAINING INDIUM AND CORRESPONDING CHIP |
摘要 |
<p>Vorliegend wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (1) mit einer nicht planaren Aufwachsschicht (2), die mindestens ein erstes Nitridverbindungshalbleitermaterial enthält, sowie einer aktiven Zone (5), die mindestens ein zweites Nitridverbindungshalbleitermaterial enthält und auf der Aufwachsschicht (2) angeordnet ist, und einer Deckschicht (7), die auf der aktiven Zone (5) angeordnet ist, beschrieben, wobei die Aufwachsschicht (2) an einer der aktiven Zone (5) zugewandten Aufwachsoberfläche (3) Strukturelemente (4) aufweist.</p> |
申请公布号 |
WO2010012266(A1) |
申请公布日期 |
2010.02.04 |
申请号 |
WO2009DE01023 |
申请日期 |
2009.07.21 |
申请人 |
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH;LUTGEN, STEPHAN;EICHLER, CHRISTOPH;SCHILLGALIES, MARC;QUEREN, DESIREE |
发明人 |
LUTGEN, STEPHAN;EICHLER, CHRISTOPH;SCHILLGALIES, MARC;QUEREN, DESIREE |
分类号 |
H01L33/24;H01L33/00 |
主分类号 |
H01L33/24 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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