Verfahren zur Herstellung einer Metallstruktur auf einer Oberfläche eines Halbleitersubstrates

摘要

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Metallstruktur auf einer Oberfläche eines Halbleitersubstrates, folgende Schritte umfassend: A Aufbringen einer Metallschicht, B Aufbringen einer Strukturierungsschicht und C Entfernen der Strukturierungsschicht, wobei entweder in einem Maskierungsverfahren Schritt B nach Schritt A und Schritt C nach Schritt B ausgeführt wird, so dass die Strukturierungsschicht die Metallschicht zumindest teilweise bedeckt und nach Ausführung von Schritt B die Metallschicht an den nicht von der Strukturierungsschicht bedeckten Bereichen entfernt wird, bevor Schritt C ausgeführt wird oder in einem Lift-Off-Verfahren Schritt A nach Schritt B und Schritt C nach Schritt A ausgeführt wird, so dass die Strukturierungsschicht im Wesentlichen von der Metallschicht bedeckt ist und zumindest in den Bereichen, in denen die Metallschicht die Strukturierungsschicht bedeckt, bei Ausführung von Schritt C die Metallschicht abgelöst wird. Wesentlich ist, dass die Strukturierungsschicht in Schritt B mittels einer HotMelt-Tinte erzeugt wird.