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Ein Wafer mit einer Mehrzahl von Elementen, die an demselben eng angeordnet sind, wird mit einem Ionenstrahl bestrahlt, während derselbe durch eine Fördereinheit in eine Richtung gefördert wird. Jeder von Verschlüssen stellt eine Bestrahlungszeit ein, während derer ein Zielbereich des Wafers mit dem Ionenstrahl bestrahlt wird. So wird eine Frequenz in dem Zielbereich eingestellt. Jedes von Maskenlöchern in einer Strukturmaske, die zwischen dem Wafer und den Verschlüssen angeordnet ist, entspricht einem Bereich des Wafers. Die Maskenlöcher sind in eine Waferförderrichtung, in die der Wafer gefördert wird, abwechselnd verlagert und sind in einer Mehrzahl von Spalten senkrecht zu der Waferförderrichtung angeordnet. Um die Maskenlöcher einzeln zu öffnen und zu schließen, sind die Verschlüsse angeordnet, um den jeweiligen Maskenlöchern zu entsprechen. Somit wird eine Frequenzeinstellung für Bereiche in einer Spalte senkrecht zu der Waferförderrichtung in mehreren Schritten durchgeführt.
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