Halbleitervorrichtung mit selbstausgerichtetem vergrabenem Kontaktpaar und Verfahren zum Ausbilden desselben,申请号DE200410021636-传众专利搜索

发明名称	Halbleitervorrichtung mit selbstausgerichtetem vergrabenem Kontaktpaar und Verfahren zum Ausbilden desselben
摘要
申请公布号	DE102004021636(B4)	申请公布日期	2010.02.04
申请号	DE200410021636	申请日期	2004.05.03
申请人	SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD.	发明人	YUN, CHEOL-JU;CHO, CHANG-HYUN;CHUNG, TAE-YOUNG
分类号	H01L21/28;H01L27/108;H01L21/02;H01L21/60;H01L21/768;H01L21/8242;H01L27/088;H01L29/417	主分类号	H01L21/28
代理机构		代理人
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