Transistor mit eingebettetem Si/GE-Material mit einem verbesserten Boreinschluss

摘要

Durch Einbau einer diffusionshindernden Sorte in der Nähe von pn-Übergängen von p-Kanaltransistoren, die eine Silizium/Germanium-Legierung aufweisen, werden durch Diffusion hervorgerufene Ungleichmäßigkeiten der pn-Übergänge verringert, wodurch zu einer besseren Bauteilstabilität und zu einem insgesamt verbesserten Transistorleistungsverhalten beigetragen wird. Die diffusionshindernde Sorte kann in Form von Kohlenstoff, Stickstoff und dergleichen vorgesehen werden.