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发明名称 Verfahren zum Ausbilden einer Halbleiterstruktur in Form eines Feldeffekttransistors mit einem verspannten Kanalgebiet und Halbleiterstruktur
摘要
申请公布号 DE102004047631(B4) 申请公布日期 2010.02.04
申请号 DE200410047631 申请日期 2004.09.30
申请人 ADVANCED MICRO DEVICES INC. 发明人 HOHAGE, JOERG;RUELKE, HARTMUT;FROHBERG, KAI
分类号 H01L21/336;H01L21/318;H01L21/8234;H01L27/085 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
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