发明名称 |
微带共振结构太赫兹波调制装置 |
摘要 |
本实用新型公开了一种微带共振结构太赫兹波调制装置。包括太赫兹波源、微带共振结构阵列、高阻硅基体、太赫兹波探测器、可调制的半导体激光器,在高阻硅基体上溅射有微带共振结构阵列,由太赫兹波源发出的太赫兹波垂直传播至微带共振结构阵列,并通过高阻硅基体调制的太赫兹波经太赫兹波探测器传出,在太赫兹波源的同方向设有可调制的半导体激光器,可调制的半导体激光器的激光发射方向与太赫兹波源发出的太赫兹波入射方向之间夹角为0°~30°,微带共振结构阵列由多个微带共振结构单元组成。本实用新型具有调制速度快,调制带宽大,尺寸小,结构紧凑,容易加工,操作简单方便的优点,对太赫兹波偏振不敏感,满足太赫兹波高速通信需求。 |
申请公布号 |
CN201397432Y |
申请公布日期 |
2010.02.03 |
申请号 |
CN200920120111.0 |
申请日期 |
2009.05.18 |
申请人 |
中国计量学院 |
发明人 |
李九生 |
分类号 |
G02F1/00(2006.01)I;H04B10/155(2006.01)I |
主分类号 |
G02F1/00(2006.01)I |
代理机构 |
杭州求是专利事务所有限公司 |
代理人 |
张法高 |
主权项 |
1.一种微带共振结构太赫兹波调制装置,其特征在于包括太赫兹波源(1)、微带共振结构阵列(2)、高阻硅基体(3)、太赫兹波探测器(4)、可调制的半导体激光器(5),在高阻硅基体(3)上溅射有微带共振结构阵列(2),由太赫兹波源(1)发出的太赫兹波垂直传播至微带共振结构阵列(2),并通过高阻硅基体(3)调制的太赫兹波经太赫兹波探测器(4)传出,在太赫兹波源(1)的同方向设有可调制的半导体激光器(5),可调制的半导体激光器(5)的激光发射方向与太赫兹波源(1)发出的太赫兹波入射方向之间夹角为0°~30°,微带共振结构阵列(2)由多个微带共振结构单元组成,微带共振结构单元为圆形,圆形内设有内圆构成圆环,在圆环内侧直径方向垂直设有两矩形条,两根矩形条将圆环平均分成四份,在每份圆环的中心处开一个缺口。 |
地址 |
310018浙江省杭州市下沙高教园区学源街 |