像素结构的制作方法

摘要

一种像素结构的制作方法，包括下列步骤：首先，提供基板。接着，形成第一导电层于基板上，并提供暴露出部分第一导电层的第一遮罩于第一导电层上方。之后，使用激光经过第一遮罩照射第一导电层，以移除部分第一导电层，而形成栅极。接着，形成栅极绝缘层于基板上以覆盖栅极。继之，形成沟道层于栅极上方的栅极绝缘层上。之后，形成源极与漏极于栅极两侧的沟道层上。接着，形成图案化保护层覆盖沟道层并暴露出漏极。之后，形成电极材料层以覆盖图案化保护层与暴露的漏极，并通过图案化保护层使电极材料图案化，以形成像素电极。本发明相比于公知的像素结构制作方法，可以简化工艺步骤并减少光掩模的制作成本。

主权项

1.一种像素结构的制作方法，包括：提供基板；形成第一导电层于该基板上；提供第一遮罩于该第一导电层上方，且该第一遮罩暴露出部分的该第一导电层；使用激光经过该第一遮罩照射该第一导电层，以移除该第一遮罩所暴露的部分该第一导电层，而形成栅极；形成栅极绝缘层于该基板上，以覆盖该栅极；形成沟道层于该栅极上方的该栅极绝缘层上；形成源极以及漏极于该栅极两侧的该沟道层上，且该栅极、该沟道层、该源极以及该漏极构成薄膜晶体管；形成图案化保护层于该薄膜晶体管上，以覆盖该沟道层并暴露出该漏极；以及形成电极材料层，以覆盖该图案化保护层与暴露的该漏极，并且通过该图案化保护层使该电极材料层同步图案化，以形成像素电极，其中该激光的能量介于10mJ/cm2至500mJ/cm2之间。