一种检测半导体晶片从静电卡盘上释放程度的方法

摘要

本发明提供了一种检测半导体晶片从静电卡盘上释放程度的方法，具体为：在半导体晶片与静电卡盘的接触面间通入气体，并将检测到的气体漏率和设定的漏率阈值进行比较，从而根据比较结果来判断半导体晶片的释放程度。以上检测方法能够有效的判断半导体晶片从静电卡盘上的释放程度，然后根据释放程度做出相应的操作，避免了半导体晶片发生跳动或移位的现象，减少了事故发生率，保证了半导体晶片在传输过程中更加地安全可靠。

主权项

1、一种检测半导体晶片从静电卡盘上释放程度的方法，其特征在于，在从静电卡盘上释放半导体晶片后，包括如下步骤：A：在半导体晶片与静电卡盘的接触面间通入气体；B：检测气体漏率；C：判断气体漏率是否大于设定的漏率阈值，如是，则输出半导体晶片释放完全的结果；否则，输出半导体晶片未完全释放的结果；所述的步骤C中设定的漏率阈值为1～10SCCM。