存储单元及其制造方法

摘要

存储单元及制造存储单元的方法，其包括沉积于基片上的绝缘材料、形成于绝缘材料内的底电极、沉积于底电极上并且其中的至少一个充当中间绝缘层的多个绝缘层。通孔被限定于中间绝缘层上的绝缘层内。沟道与牺牲分隔件一起产生，用于刻蚀。孔被限定在中间绝缘层内。除去中间绝缘层上的所有绝缘层，用相变材料填充整个残留的孔。在相变材料上形成上电极。

主权项

1.一种形成存储单元的方法，该方法包括：在基片上方形成多个绝缘层；在绝缘层的至少一个内形成底电极，底电极具有底电极直径；限定通过位于底电极上方的绝缘层中的至少一个的通孔，通孔与底电极通过至少一个中间绝缘层被分开；在中间绝缘层上方的通孔内形成牺牲分隔件，牺牲分隔件包括直径小于通孔直径的沟道；限定通过位于牺牲分隔件下方和底电极上方的中间绝缘层的孔，使得沟道通过中间绝缘层延续到底电极，所述孔具有小于底电极直径的孔直径；除去牺牲分隔件；将相变材料沉积在该孔内，相变材料填充整个孔；以及在相变材料上方形成上电极。