发明名称 一种生长硅单晶的热装置
摘要 本实用新型公开了一种生长硅单晶的热装置,包括基座,基座内并排设置有移动机构A和移动机构B,基座上固接有工作室,工作室底部固接有保温筒,保温筒顶部设置有保温筒盖,保温筒内竖直设置有支撑杆,支撑杆顶部固接有坩埚,移动机构A与电极A的下端固接,其连接处设置有绝缘套A,电极A穿过基座顶部伸入保温筒内,并与加热器固接,加热器为环形,位于坩埚与保温筒侧壁之间,环绕坩埚设置,移动机构A通过电极A带动加热器上下移动,移动机构B与电极B下端固接,电极B穿过基座顶部伸入保温筒内,并与底部加热器固接,底部加热器位于坩埚的下方,移动机构B通过电极B带动底部加热器上下移动。本实用新型热装置能对不同量的原料进行快速加热,并形成稳定合理的温度场,生长出高质量的合格单晶,节约能源。
申请公布号 CN201395647Y 申请公布日期 2010.02.03
申请号 CN200920032683.3 申请日期 2009.04.17
申请人 江苏华盛天龙光电设备股份有限公司 发明人 李留臣;冯金生;井锦英
分类号 C30B15/14(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 主分类号 C30B15/14(2006.01)I
代理机构 西安弘理专利事务所 代理人 罗 笛
主权项 1.一种生长硅单晶的热装置,其特征在于,包括中空的基座(8),基座(8)内并排设置有移动机构A(7)和移动机构B(9),基座(8)上固接有中空的工作室(1),工作室(1)内设置有固接于工作室(1)底部的保温筒(2),保温筒(2)的顶部设置有保温筒盖(14),保温筒(2)内竖直设置有支撑杆(12),支撑杆(12)的顶部固接有坩埚(3),移动机构A(7)与竖直设置的电极A(5)的下端固定连接,移动机构A(7)与电极A(5)的连接处设置有绝缘套A(6),电极A(5)的上端向上穿过基座(8)顶部伸入保温筒(2)内,并与加热器(4)固接,加热器(4)为环形,位于坩埚(3)与保温筒(2)侧壁之间,环绕坩埚(3)设置,移动机构A(7)通过电极A(5)带动加热器(4)上下移动,移动机构B(9)与竖直设置的电极B(11)的下端固定连接,电极B(11)的上端向上穿过基座(8)顶部伸入保温筒(2)内,并与底部加热器(13)固接,底部加热器(13)位于坩埚(3)的下方,移动机构B(9)通过电极B(11)带动底部加热器(13)上下移动。
地址 213200江苏省金坛市经济开发区思母路1号