光电二极管结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种光电二极管结构及其制造方法。本发明的方法为提供一基板，基板定义一前侧及一背侧；依序形成一外延层及一第一导电层于基板的前侧；蚀刻基板的背侧穿透外延层以形成一沟槽，沟槽定义一侧壁并露出第一导电层；形成一绝缘层覆盖侧壁，绝缘层定义一开口以露出第一导电层；形成一第二导电层于基板的背侧，第二导电层包括相互隔离的一第一电极及一第二电极，第一电极覆盖绝缘层并填充开口以连接第一导电层。根据本发明，将向光侧的接触电极透过埋孔移到背光侧，可减少向光侧的导电层所占面积而增加向光侧的可曝光面积。

主权项

1.一种光电二极管结构的制造方法，包括：提供一基板，该基板定义一前侧及一背侧；依序形成一外延层及一第一导电层于该基板的该前侧；蚀刻该基板的该背侧并穿透该外延层以形成一沟槽，该沟槽定义一侧壁并露出该第一导电层；形成一绝缘层覆盖该侧壁，该绝缘层定义一开口以露出该第一导电层；形成一第二导电层于该基板的该背侧，该第二导电层包括相互隔离的一第一电极及一第二电极，该第一电极覆盖该绝缘层并填充该开口以连接该第一导电层。