非易失性存储元件的制造方法

摘要

本发明涉及一种制造非易失性存储元件的方法。该方法改变共聚绝缘膜的膜性质，同时防止产生阱位置。在硅衬底112表面附近的沟道形成区上设置浮置栅101，设置共聚绝缘膜134使其与浮置栅101相接触，以及设置控制栅103使其与共聚绝缘膜134相接触并且使其与至少一部分浮置栅101相对。设置共聚绝缘膜134的工艺步骤进一步包括，在浮置栅101上形成共聚绝缘膜134使其与浮置栅101相接触的步骤，和在形成共聚绝缘膜134之后，将共聚绝缘膜134暴露到包含含氮的气体和氧的氛围中，以由此同时地进行共聚绝缘膜134的氮化和氧化的步骤。

主权项

1.一种制造非易失性存储元件的方法，包括：在半导体衬底表面附近的沟道形成区上设置浮置栅；设置绝缘膜与所述浮置栅相接触；以及设置控制栅，使其与所述绝缘膜相接触且使其与所述浮置栅的至少一部分相对；其中所述设置绝缘膜的步骤进一步包括：在所述半导体衬底上形成所述绝缘膜；以及在所述的形成绝缘膜的步骤之后，将所述绝缘膜暴露在包含含氮的气体和氧的氛围中，以由此同时地进行对所述绝缘膜的氮化和氧化处理，并由此获得在所述浮置栅与所述绝缘膜之间的分界面处的氧化膜层和氮氧化膜层。