| 发明名称 | 薄膜半导体装置和制造薄膜半导体装置的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种薄膜半导体装置及其制备方法，该薄膜半导体装置包括：半导体薄膜，设置成具有通过使用能量束照射而转变为多晶区域的有源区域；和栅电极，设置成被提供来横穿过有源区域；其中连续的晶界在有源区域与栅电极交叠的沟道部分中沿栅电极延伸，并且晶界横穿过沟道部分和在沟道长度方向循环地被提供。 | ||
| 申请公布号 | CN100587969C | 申请公布日期 | 2010.02.03 |
| 申请号 | CN200710103568.6 | 申请日期 | 2007.03.13 |
| 申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 町田晓夫;藤野敏夫;河野正洋 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/04(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/268(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 彭久云 |
| 主权项 | 1、一种薄膜半导体装置，包括：半导体薄膜，设置成具有通过使用能量束照射而转变为多晶区域的有源区域；和栅电极，设置成被提供来横穿过所述有源区域；其中连续的晶界在所述有源区域与所述栅电极交叠的沟道部分中沿所述栅电极延伸，并且所述晶界横穿过所述沟道部分和在所述沟道长度方向循环地被以预定的间距平行提供，且所述晶界由所述能量束以预定间距的平行扫描产生，并且与所述能量束的扫描方向平行。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||