| 发明名称 | 制造层结构的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及用于制造层结构的方法，该层结构包括经光滑化的中间层以及施加在所述中间层上的覆盖层，其中用含有氟化氢的气态蚀刻剂处理所述中间层，并在实现材料去除的情况下使所述中间层光滑化。 | ||
| 申请公布号 | CN100587911C | 申请公布日期 | 2010.02.03 |
| 申请号 | CN200710101837.5 | 申请日期 | 2007.04.25 |
| 申请人 | 硅电子股份公司 | 发明人 | 迭戈·费若;京特·施瓦布;托马斯·布施哈尔特 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;C23F1/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 过晓东 |
| 主权项 | 1、用于制造层结构的方法，该层结构包括经光滑化的中间层以及施加在所述中间层上的覆盖层，所述中间层包括选自以下组中的材料：单晶硅、多晶硅、硅-锗和锗，所述方法包括在20至70℃的温度下用氧化剂和含有氟化氢的气态蚀刻剂处理所述中间层，所述氧化剂在所述气态蚀刻剂之前或与之一起送至所述中间层，从所述中间层去除厚度不高于0.5μm的材料，并使所述中间层光滑化；重复用氧化剂和气态蚀刻剂处理所述中间层1至5次。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||