发明名称 |
大尺寸CuI晶体的生长方法 |
摘要 |
本发明属于晶体生长技术领域,具体涉及一种大尺寸CuI晶体的生长方法。本发明采用溶液降温与溶剂蒸发相结合的技术,具有设备简单、价格低廉、生长温度低和生长过程容易调控等优点。晶体外形呈长方体,尺寸达到厘米量级。所生长出的CuI晶体为γ相,其纯度高、缺陷少、形貌好和尺寸大,因而作为新一代超快闪烁体,在超高计数率X-射线、γ射线和电子束测量等方面都有着重要价值,同时还可以用做快离子导体。 |
申请公布号 |
CN100587129C |
申请公布日期 |
2010.02.03 |
申请号 |
CN200710171815.6 |
申请日期 |
2007.12.06 |
申请人 |
同济大学 |
发明人 |
顾牡;高攀;刘小林;黄世明;刘波;张甜 |
分类号 |
C30B29/12(2006.01)I;C30B7/08(2006.01)I |
主分类号 |
C30B29/12(2006.01)I |
代理机构 |
上海正旦专利代理有限公司 |
代理人 |
张 磊 |
主权项 |
1、一种大尺寸CuI晶体的生长方法,其特征在于具体步骤为:(1)在20~65℃温度下将碘化亚铜粉末溶解于乙腈溶剂中,搅拌4~10分钟,待粉末不再溶解为止,即得到饱和液;每100g乙腈中碘化亚铜加入量为:2.894wt%~7.703wt%;(2)将饱和液过滤,得到过滤液;(3)取步骤(2)所得过滤液倒入生长容器中,封口;接着将生长容器置于-15~15℃的恒温环境下进行降温,静置1~5天,即得到厘米量级的长方体晶体作为籽晶;(4)重复步骤(1)和(2),将过滤液加入到溶液降温装置的培养缸中,将上部生长区溶液温度设定为溶液饱和温度之上2-5℃,并在该温度下保持24~48小时,然后放入步骤(3)得到的籽晶,进行降温生长,降温速度为1-10℃/天;CuI晶体的生长温度为-15-65℃;待晶体长至所需尺寸时,以2-20℃/天的降温速率降温,即得到本发明所需产品。 |
地址 |
200092上海市四平路1239号 |